Quantum size effect in grid type GaAs infrared detectors

초록

GaAs 양자우물구조의 subband transition을 이용한 적외선 검출기에서의 quantum size effect의 하나인 lateral quantization 효과를 제시한다. 본 실험에 쓰인 소자는 electron beam lithography와 wet etching 방법에 의해서 적외선 검출기의 grid의 크기를 조절했으며 grid line의 크기가 줄어듬에 따라 normalized responsivity 가 증가함을 실험적으로 확인할 수 있었다.이 효과는 quantum well 자체의 quantization과 더불어 nanostructure 에서의 lateral quantization에 의한 light coupling 효율의 증가로 이해될 수 있다.