150-nm GaAs pHEMT 공정을 이용한 Ka-대역 저손실, 고격리도 특성 traveling wave SPST RF 스위치 설계

제목
150-nm GaAs pHEMT 공정을 이용한 Ka-대역 저손실, 고격리도 특성 traveling wave SPST RF 스위치 설계
저자
김정현
발행일
2022-06-30
학회명
2022년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
개최지
제주 신화월드