Characteristics of ma-N2410 and ma-N2405 Negative E-beam Resist and its Application

초록

E-beam lithography가 각광을 받으면서 많은 종류의 positive, negative resist가 출시되고 있다. 그 중에서 최근 Micro Resist Technology사의 negative resist인 ma-N2410과 ma-N2405의 특성을 분석해보고 또한 응용성을 알아보았다. 각각의 resist를 15개의 200nm의 line & space를 그렸다. 이 때 dose량을 변화시키고 가속전압을 10keV, 20keV, 28keV로, 그리고 developing time을 변수로 하였다. 결과적으로 CD와 contrast를 측정하여 분석하였다. 분석결과 proximity effect와 그 이외의 공정조건들을 고려한 예측에 부합하는 결과를 얻었다. 또한 ma-N2410과 ma-N2405 resist를 이용하여 나노광학적 측정에 응용할 수 있는 구조물을 제작하여 보았다.